学术预告:高密度信息存储的偏光全息技术
作者:lyy2018        发布时间:2020-01-16        点击数:

报告人:谭小地 教授

时间:2020年1月17日上午9:30

地点:N5楼124室


报告摘要:

        偏光全息是将光的偏振状态也作为信息记录在对偏振敏感的全息材料中。传统的偏光全息是建立在琼斯理论基础上的,是在两束偏振光夹角很小的近似前提下才能成立的。为了解决这一问题,我们引入了介电张量概念,获得了新偏光全息的普适理论,不仅将干涉光线的夹角扩展到任意角度,而且传统的琼斯理论成为新偏光全息理论的一个特例。本报告从新偏光全息理论出发,给出了介电张量的定义和偏光全息理论的通解。通过圆偏振光和线偏振光的干涉记录和再现,介绍了一些偏光全息的记录和再现特性,以及通过实验加以证明的结果。最终将光的偏振状态作为一个调制参量在全息光存储中进行了尝试性双通道和四通道存储的应用,其结果验证了偏光全息可以作为增加信息存储容量的有效方法,是下一代大容量信息存储的有力候选方式,对提高光全息存储的记录密度具有实际意义。


报告人简介:

        1984年获yh533388银河理学学士、1990年获北京理工大学工学硕士、2001年获东京大学工学博士。曾在日本信息系统设计、OPTWARE、SONY公司任职,2012年获批国家级引进人才计划回国,在北京理工大学任特聘专家、教授、博士生导师,2018年调入福建师范大学光电与信息工程学院任教授、博士生导师。兼任国际光学工程学会会士(Fellow),中国光学学会和中国光学工程学会理事,美国光学学会高级会员。研究方向为信息光子学,在光学信息处理、光信息存储、光学信息显示和光学测量等领域有着长期的理论研究和产品开发经验。发表论文200多篇、国际会议邀请报告50余次、合作著书1本、已公开专利15项。获国家科技进步三等奖1项,SONY研发总部部门长赏1次。现主持科技部国家重点研发计划1项,曾主持国家自然科学基金1项、863项目3项以及其它项目多项。